Introducción de productos
Los sustratos de SiC tipo P- están diseñados para el crecimiento homoepitaxial y el desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia de voltaje ultra-alto-. Con excelentes características eléctricas y térmicas, este alto-rendimientosustrato de SiCes adecuado para aplicaciones exigentes de alta-potencia, incluida la transmisión de energía de voltaje ultra-alto-y la infraestructura de red inteligente.
Estos P-tipoObleas de SiCTambién admite aplicaciones en tránsito ferroviario, sistemas de energía industrial y otros equipos eléctricos de alta-potencia donde se requiere capacidad de alto-voltaje, confiabilidad y conversión de energía eficiente.
Presupuesto
| 6 pulgadas | |
|---|---|
| Diámetro | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Orientación de la superficie | 4 grados hacia<1120>±0,5 grados |
| Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm |
| Orientación plana primaria | <1120>±5,0 grados |
| Orientación de la muesca | / |
| Ángulo de muesca | / |
| Profundidad de muesca | / |
| Espesor | 350,0um±25,0um |
| politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 8 pulgadas | |
|---|---|
| Diámetro | 200,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Orientación de la superficie | 4 grados hacia<1120>±0,5 grados |
| Longitud plana primaria | Muesca |
| Orientación plana primaria | / |
| Orientación de la muesca | <1100>±1,0 grados |
| Ángulo de muesca | 90 grados +5 grados /-1 grado |
| Profundidad de muesca | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Espesor | 350,0um±25,0um |
| politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 12 pulgadas | |
|---|---|
| Diámetro | 300,0 mm ± 0,5 mm |
| Orientación de la superficie | 4 grados hacia<1120>±0,5 grados |
| Longitud plana primaria | Muesca |
| Orientación plana primaria | / |
| Orientación de la muesca | <1100>±5,0 grados |
| Ángulo de muesca | 90 grados +5 grados /-1 grado |
| Profundidad de muesca | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Espesor | 750,0um±25,0um |
| politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
Certificado
Etiqueta: Oblea de SiC tipo 4H P-, China, proveedores, fabricantes, fábrica, hecha en China
