Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N

Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N
Introducción del producto:
Optimizado para aplicaciones solares de alta eficiencia, la oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N presenta un diseño pseudo-cuadrado de 166 × 166 mm con propiedades de material superiores. Fabricado con el método CZ con dopaje de fósforo, ofrece una excelente calidad de cristal con<100>Orientación y baja densidad de defectos (menor o igual a 500 cm⁻²). La oblea ofrece conductividad de tipo N con resistividad de 1.0-7.0 Ω · cm y mayor o igual a 1000 µs de vida útil portadora, lo que lo hace ideal para las tecnologías de células TOPCON y heterounión. Su geometría precisa (φ223 mm de diámetro, menor o igual a TTV de 27 µM) y estándares estrictos de calidad de la superficie aseguran un rendimiento óptimo en los módulos fotovoltaicos. El tamaño M6 proporciona el equilibrio perfecto entre la eficiencia celular y la productividad de la fabricación para las líneas de producción solar modernas.
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Descripción
Parámetros técnicos

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Optimizado para aplicaciones solares de alta eficiencia, la oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N presenta un diseño pseudo-cuadrado de 166 × 166 mm con propiedades de material superiores. Fabricado con el método CZ con dopaje de fósforo, ofrece una excelente calidad de cristal con<100>Orientación y baja densidad de defectos (menor o igual a 500 cm⁻²). La oblea ofrece conductividad de tipo N con resistividad de 1.0-7.0 Ω · cm y mayor o igual a 1000 µs de vida útil portadora, lo que lo hace ideal para las tecnologías de células TOPCON y heterounión. Su geometría precisa (φ223 mm de diámetro, menor o igual a TTV de 27 µM) y estándares estrictos de calidad de la superficie aseguran un rendimiento óptimo en los módulos fotovoltaicos. El tamaño M6 proporciona el equilibrio perfecto entre la eficiencia celular y la productividad de la fabricación para las líneas de producción solar modernas.

 

 

1. Propiedades del material

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

Cz

 

Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Tipo de conductividad

De tipo n

NAPSON EC-80TPN

Dopante

Fósforo

-

Concentración de oxígeno [OI]

Menor o igual a8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [CS]

Menor o igual a5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad de boxes de grabado (densidad de dislocación)

Menor o igual a500 cm-2

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Orientación de la superficie

<100>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de los lados pseudo cuadros

<010>,<001>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

 

2. Propiedades eléctricas

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

1.0-7.0 Ω.cm

Sistema de inspección de obleas

MCLT (vida útil del portador de minorías)

Mayor o igual a 1000 µs
Sinton BCT-400
Transitorio
(con nivel de inyección: 5e14 cm-3)

 

3. Geometría

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

pseudo cuadrado

 
Forma de borde de bisel
redondo  

Longitud lateral de la oblea

166 ± 0.25 mm

sistema de inspección de obleas

Diámetro de la oblea

φ223 ± 0.25 mm

sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90 grados ± 0.2 grados

sistema de inspección de obleas

Espesor

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
sistema de inspección de obleas

TTV (variación total de espesor)

Menor o igual a 27 µm

sistema de inspección de obleas

 

N-Type M6 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Propiedades superficiales

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de corte

DW

--

Calidad de la superficie

Como se corta y limpia, no se permiten contaminación visible (aceite o grasa, huellas digitales, manchas de jabón, manchas de suspensión, manchas de epoxi/pegamento)

sistema de inspección de obleas

Vio marcas / pasos

Menos de o igual a 15 µm

sistema de inspección de obleas

Arco

Menos de o igual a 40 µm

sistema de inspección de obleas

Urdimbre

Menos de o igual a 40 µm

sistema de inspección de obleas

Chip

profundidad menor o igual a 0.3 mm y longitud menor o igual a 0.5 mm Máx 2/pcs; Sin chip en V

Ojos desnudos o sistema de inspección de obleas

Micro grietas / agujeros

No permitido

sistema de inspección de obleas

 

 

 

 

 

Etiqueta: Especificación de oblea de silicio monocristalino de tipo N M6, China, proveedores, fabricantes, fábrica, hecha en China

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