Oblea principal

Oblea principal

Las obleas principales son la base de la fabricación moderna de semiconductores. Con un control estricto sobre la planitud, los niveles de partículas y la resistividad, proporcionan la precisión necesaria para la fabricación de chips. Estas obleas aseguran que cada paso de producción sea predecible y repetible, lo que respalda un alto rendimiento y una calidad consistente en la fabricación avanzada de dispositivos.
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Descripción
Parámetros técnicos

 

Introducción de productos

 

 

Bare Wafer1

 

Propiedades del material

 

 

 

Especificaciones principales 6" 8" 12"
Método de crecimiento Cz Cz Cz
Diámetro (mm) 150±0.5 200±0.5 300±0.5
Tipo/dopante: P/Boron o N/PH P/Boron o N/PH P/Boron o N/PH
Espesor (μm) 625±25/675±25 725±25 775±25
Resistividad 1–100Ω 1–100Ω 1–100Ω
TTV Menos de o igual a 10um Menos de o igual a 10um Menos de o igual a 10um
ARCO Menos de o igual a 40um Menos de o igual a 40um Menos de o igual a 40um
URDIMBRE Menos de o igual a 40um Menos de o igual a 40um Menos de o igual a 40um
Partícula Menos de o igual a 30ee@ mayor o igual a 0.2um Menos de o igual a 30ee@ mayor o igual a 0.2um Menos de o igual a 30ee@ mayor o igual a 0.2um
Plano/muesca Pisos/muesca Pisos/muesca Muesca
Acabado superficial Como - CUT/LAPEPT/ETCHED/SSP/DSP Como - CUT/LAPEPT/ETCHED/SSP/DSP Como - CUT/LAPEPT/ETCHED/SSP/DSP
Especificaciones personalizadas disponibles

 

 

 

Bare Wafer 1

Las obleas principales se fabrican para cumplir con los más altos estándares requeridos para la fabricación de dispositivos de semiconductores. Con controles más estrictos en los niveles de TTV, arco, deformación y partículas, estas obleas ofrecen una planitud superior y una calidad de superficie, lo que los hace ideales para la producción de chips y el desarrollo avanzado de procesos. Ya sea para una gran cantidad de I ({2}} de fabricación o R&D de precisión, las obleas principales proporcionan la consistencia necesaria para lograr el rendimiento y el rendimiento máximos.

 

 

 

 

Características del producto

 

 

 

Tamaños disponibles:6 ", 8" y 12 "

Método de crecimiento:Proceso CZ (czochralski)

Tolerancia al diámetro:150 ± 0.5 mm, 200 ± 0.5 mm, 300 ± 0.5 mm

Opciones de dopaje:P - Tipo (Boron) o N - Tipo (Phosphorus)

Espesor:625–775 µm (dependiendo del tamaño de la oblea)

Rango de resistividad: 1–100 Ω

TTV:Menos de o igual a 10 µm

ARCO:Menos de o igual a 40 µm

Urdimbre:Menos de o igual a 40 µm

Nivel de partícula:Menor o igual a 30@ mayor o igual a 0.2 µm

Opciones planas/muescas:Pisos o muescas

Acabado superficial:Como - CUT, LAPED, ENTRADA, SSP, DSP

Personalizable:Especificaciones personalizadas disponibles

 

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