Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo n M12

Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo n M12

La oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N adopta un gran formato pseudo cuadrado de 210 × 210 mm (φ295 mm de diámetro), aumentando el área activa y la potencia de potencia de aumento para los módulos PV de alta eficiencia. Crecido utilizando el método CZ y dopado con fósforo, presenta un<100>Orientación de la superficie, baja densidad de dislocación (menor o igual a 500 cm⁻²) y conductividad de tipo N. Con un rango de resistividad de 1.0–7.0 Ω · cm y por vida minoritaria mayor o igual a 1000 µs, es ideal para tecnologías avanzadas de células solares como TOPCON y HJT. La geometría optimizada y la calidad de la superficie de la oblea M12 aseguran un excelente rendimiento en los módulos de alta potencia de próxima generación.
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Descripción
Parámetros técnicos

CZ silicon crystal growth

n-type-full-square-monocrystalline-solar47199107070 1

 

La oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N adopta un gran formato pseudo cuadrado de 210 × 210 mm (φ295 mm de diámetro), aumentando el área activa y la potencia de potencia de aumento para los módulos PV de alta eficiencia. Crecido utilizando el método CZ y dopado con fósforo, presenta un<100>Orientación de la superficie, baja densidad de dislocación (menor o igual a 500 cm⁻²) y conductividad de tipo N. Con un rango de resistividad de 1.0–7.0 Ω · cm y por vida minoritaria mayor o igual a 1000 µs, es ideal para tecnologías avanzadas de células solares como TOPCON y HJT. La geometría optimizada y la calidad de la superficie de la oblea M12 aseguran un excelente rendimiento en los módulos de alta potencia de próxima generación.

 

 

1. Propiedades del material

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

Cz

 

Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Tipo de conductividad

De tipo n

NAPSON EC-80TPN

Dopante

Fósforo

-

Concentración de oxígeno [OI]

Menor o igual a8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [CS]

Menor o igual a5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad de boxes de grabado (densidad de dislocación)

Menor o igual a500 cm-2

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Orientación de la superficie

<100>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de los lados pseudo cuadros

<010>,<001>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

 

2. Propiedades eléctricas

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

1.0-7.0 Ω.cm

Sistema de inspección de obleas

MCLT (vida útil del transportista minoritario)

Mayor o igual a 1000 µs
Sinton BCT-400
Transitorio
(con nivel de inyección: 5e14 cm-3)

 

3. Geometría

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

pseudo cuadrado

 
Forma de borde de bisel
redondo  

Longitud del lado de la oblea

210 ± 0.25 mm

sistema de inspección de obleas

Diámetro de la oblea

φ295 ± 0.25 mm

sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90 grados ± 0.2 grados

sistema de inspección de obleas

Espesor

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
sistema de inspección de obleas

TTV (variación total de espesor)

Menor o igual a 27 µm

sistema de inspección de obleas

 

N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Propiedades superficiales

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de corte

DW

--

Calidad de la superficie

Como se corta y limpia, no se permiten contaminación visible (aceite o grasa, huellas digitales, manchas de jabón, manchas de suspensión, manchas de epoxi/pegamento)

sistema de inspección de obleas

Vio marcas / pasos

Menos de o igual a 15 µm

sistema de inspección de obleas

Arco

Menos de o igual a 40 µm

sistema de inspección de obleas

Urdimbre

Menos de o igual a 40 µm

sistema de inspección de obleas

Chip

profundidad menor o igual a 0.3 mm y longitud menor o igual a 0.5 mm Máx 2/pcs; Sin chip en V

Ojos desnudos o sistema de inspección de obleas

Micro grietas / agujeros

No permitido

sistema de inspección de obleas

 

 

 

 

Etiqueta: Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N M12, China, proveedores, fabricantes, fábrica, hecha en China

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