Oblea de SiC semi-aislante 4H

Oblea de SiC semi-aislante 4H

Los sustratos de SiC semi-aislantes ofrecen alta resistividad y excelentes propiedades térmicas, lo que los hace adecuados para el crecimiento heteroepitaxial de GaN y aplicaciones de semiconductores de RF de alta-frecuencia. Como sustrato de SiC de alto-rendimiento, se utiliza ampliamente para dispositivos basados ​​en HEMT-en sistemas de comunicación avanzados, incluida la infraestructura 5G. Estas obleas de SiC semi-aislantes también proporcionan excelentes propiedades ópticas y materiales, lo que respalda aplicaciones emergentes en optoelectrónica y electrónica portátil. Los sustratos de SiC de . 12-pulgadas ofrecen potencial para aplicaciones de próxima-generación, como gafas AR y otros dispositivos ópticos avanzados.
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Descripción
Parámetros técnicos

 

Introducción de productos

 

 

Los sustratos de SiC semi-aislantes ofrecen alta resistividad y excelentes propiedades térmicas, lo que los hace adecuados para el crecimiento heteroepitaxial de GaN y aplicaciones de semiconductores de RF de alta-frecuencia. Como un alto-rendimientosustrato de SiC, se utiliza ampliamente para dispositivos basados ​​en HEMT-en sistemas de comunicación avanzados, incluida la infraestructura 5G.

 

Estos semi-aislantesObleas de SiCTambién proporcionan excelentes propiedades ópticas y materiales, lo que respalda aplicaciones emergentes en optoelectrónica y electrónica portátil. Los sustratos de SiC de . 12- pulgadas ofrecen potencial para aplicaciones de próxima-generación, como gafas AR y otros dispositivos ópticos avanzados.

 

 

 

Presupuesto

 

 

 

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6 pulgadas
Diámetro 150,0 mm+0mm/-0,2 mm
Orientación de la superficie {0001}±0,2 grados
Orientación plana primaria /
Orientación plana secundaria /
Longitud plana primaria Muesca
Longitud plana secundaria Ninguno
Orientación de la muesca <1100>±1,0 grados
Profundidad de muesca Ninguno1mm+0.25mm/-0mm desde el borde
Ángulo de muesca 90 grados +5 grados /-1 grado
Espesor 500,0um±25,0um
Tipo Semi-aislante

 

 

 

 

 

8 pulgadas
Diámetro 200,0 mm+0mm/-0,5 mm
Orientación de la superficie {0001}±0,2 grados
Orientación plana primaria /
Orientación plana secundaria /
Longitud plana primaria Muesca
Longitud plana secundaria Ninguno
Orientación de la muesca <1100>±1,0 grados
Profundidad de muesca Ninguno1mm+0.25mm/-0mm desde el borde
Ángulo de muesca 90 grados +5 grados /-1 grado
Espesor 500,0um±25,0um
Tipo Semi-aislante

 

 

product-1-1

 

 

 

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12 pulgadas
Diámetro 300,0 mm+0mm/-0,5 mm
Orientación de la superficie {0001}±0,5 grados
Orientación plana primaria /
Orientación plana secundaria /
Longitud plana primaria Muesca
Longitud plana secundaria Ninguno
Orientación de la muesca <1100>±5,0 grados
Profundidad de muesca Ninguno1mm+0.25mm/-0mm desde el borde
Ángulo de muesca 90 grados +5 grados /-1 grado
Espesor 750,0um±25,0um
Tipo Semi-aislante

 

 

Certificado

 

 

 

1







 

Etiqueta: Oblea de SiC semi-aislante 4H, China, proveedores, fabricantes, fábrica, hecha en China

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