Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N

Especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N de tipo N
Introducción del producto:
La oblea de silicio monocristalino de tipo N de tipo N presenta un diseño cuasi-cuadrado de 156.75 × 156.75 mm con esquinas redondeadas, equilibrando la compatibilidad con diseños de módulos estándar y captura de luz optimizada. Producido utilizando el método CZ y el dopaje de fósforo, ofrece alta pureza de material,<100>orientación y baja densidad de dislocación (menor o igual a 500 cm⁻²). Con una conductividad de tipo N, un amplio rango de resistividad (0.2–12 Ω · cm) y una vida útil de los portadores de alta minorías (mayor o igual a 1000 µs), admite tecnologías de células de alta eficiencia como TOPCON y HJT. La oblea M2 sigue siendo un formato probado y confiable para el rendimiento estable en las aplicaciones fotovoltaicas convencionales.
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Descripción
Parámetros técnicos

CZ silicon crystal growth

 

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La oblea de silicio monocristalino de tipo N de tipo N presenta un diseño cuasi-cuadrado de 156.75 × 156.75 mm con esquinas redondeadas, equilibrando la compatibilidad con diseños de módulos estándar y captura de luz optimizada. Producido utilizando el método CZ y el dopaje de fósforo, ofrece alta pureza de material,<100>orientación y baja densidad de dislocación (menor o igual a 500 cm⁻²). Con una conductividad de tipo N, un amplio rango de resistividad (0.2–12 Ω · cm) y una vida útil de los portadores de alta minorías (mayor o igual a 1000 µs), admite tecnologías de células de alta eficiencia como TOPCON y HJT. La oblea M2 sigue siendo un formato probado y confiable para el rendimiento estable en las aplicaciones fotovoltaicas convencionales.

 

1. Propiedades del material

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

Cz

 

Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Tipo de conductividad

De tipo n

NAPSON EC-80TPN

Dopante

Fósforo

-

Concentración de oxígeno [OI]

Menor o igual a8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [CS]

Menor o igual a5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad de boxes de grabado (densidad de dislocación)

Menor o igual a500 cm-2

Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88)

Orientación de la superficie

<100>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de los lados pseudo cuadros

<010>,<001>± 3 grados

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

 

2. Propiedades eléctricas

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

0.2-2.0 Ω.cm
0.5-3.5 Ω.cm
1.0-7.0 Ω.cm
1.5-12 Ω.cm
Resistividad de 4 sonras
medición

MCLT (vida útil del portador de minorías)

Mayor o igual a 1000 µs (resistividad > 1.0 Ω.cm)
Mayor o igual a 500 µs (resistividad < 1.0 Ω.cm
Sinton BCT-400
Transitorio
(con nivel de inyección: 5e14 cm-3)

 

3. Geometría

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

cuasi cuadrado
Calibre vernier
Diámetro
210 ± 0.25 mm
Calibre vernier
Plano a plano
156.75 ± 0.25 mm
Calibre vernier
Longitud de la esquina
8.5 ± 0.5 mm
Cuadrado de asiento ancho/regla
Angularidad

90 grados ± 0.2 grados

Regla de ángulo
Forma de esquina
Forma redonda
Inspección visual
Perpendicularit
Menos de o igual a 0.8 mm
 

TTV (variación total de espesor)

Menor o igual a 27 µm

sistema de inspección de obleas

 

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4.Propiedades superficiales

 

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Plazo de superficie
Mancha, aceite, rasguño, grieta, pozo, bulto,
Pinhole y Twin Defect no son
permitido
Inspección visual
Chip
El chip de superficie no está permitido;
Arris: las chips son inconsecutivas:
Menos de 10 en el arris, diA menor o igual a 0.3 mm;
Gobernante
Superficie rugosa
Superficie plana: AR menor o igual a 0.6um;
Superficie cambiada: AR menor o igual a 1.0um
Medidor de rugosidad de la superficie

 

 

 

 

 

Etiqueta: especificación de oblea de silicio monocristalina de tipo N M2, China, proveedores, fabricantes, fábrica, hecha en China

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