Oblea solar monocristalina cuadrada completa tipo N

Oblea solar monocristalina cuadrada completa tipo N
Introducción del producto:
En la industria solar fotovoltaica, la transición de la tecnología de obleas se produce desde un pseudocuadrado de 156,75 x 156,75 mm M2 a tamaños de oblea más grandes con un cuadrado completo de 158,75 x 158,75 mm y esto incluye obleas mono-Si tipo py tipo n. Art Full Square Mono Wafers ha maximizado la exposición a la luz al mismo nivel de múltiples obleas al expandir la medida cuadrada. Las obleas siempre son completamente cuadradas para que se ajusten al módulo fotovoltaico de manera óptima.
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Descripción
Parámetros técnicos

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


En la industria solar fotovoltaica, la transición de la tecnología de obleas viene un cambio de pseudocuadrado156,75x156,75 mm M2 a tamaños de oblea más grandes en cuadrado completo 158,75x158,75 mm y esto incluye obleas mono-Si tipo p y tipo n.

Las obleas Full Square Mono de última generación han maximizado la exposición a la luz al mismo nivel de obleas múltiples al expandir la medida cuadrada. Las obleas siempre son completamente cuadradas para que se ajusten al módulo fotovoltaico de manera óptima.

1 Propiedades materiales

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

CZ


Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Tipo de conductividad

Tipo N

Napson EC-80TPN

Dopante

Fósforo

-

Concentración de oxígeno [Oi]

8E+17 a / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [Cs]

5E+16 a / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad del pozo de grabado (densidad de dislocación)

500 cm-3

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Orientación de superficie

& lt; 100> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de lados pseudocuadrados

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

2 Propiedades electricas

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

0,3-2,1 Ω.cm

1.0-7.0 Ω.cm

Sistema de inspección de obleas

MCLT (portador minoritario de por vida)

≧ 1000 μs (resistividad 0,3-2,1 Ω.cm)
≧500 μs(Resistividad1.0-7.0 Ω.cm)

Sinton transitorio

3 Geometría


Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

Cuadrado completo


Longitud del lado de la oblea

158,75 ± 0,25 milímetros

sistema de inspección de obleas

Diámetro de la oblea

φ223 ± 0,25 milímetro

sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90° ± 0.2°

sistema de inspección de obleas

Grosor

180 20/10 µm;

17020/10 µm

sistema de inspección de obleas

TTV (variación de espesor total)

27 µm

sistema de inspección de obleas



image



4 Propiedades de la superficie


Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de corte

DW

--

Calidad de la superficie

como cortado y limpiado, sin contaminación visible (aceite o grasa, huellas dactilares, manchas de jabón, manchas de lechada, manchas de epoxi / pegamento no están permitidas)

sistema de inspección de obleas

Marcas de sierra / pasos

≤ 15µm

sistema de inspección de obleas

Inclinarse

≤ 40 µm

sistema de inspección de obleas

Deformación

≤ 40 µm

sistema de inspección de obleas

Chip

profundidad ≤0.3 mm y longitud ≤ 0.5 mm Max 2 / pcs; sin V-chip

Sistema de inspección de ojos desnudos o obleas

Micro grietas / agujeros

No permitido

sistema de inspección de obleas




 

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