Esta especificación define obleas de silicio monocristalina de tipo N (tamaño M10) para células solares avanzadas. Producido a través del método Czochralski con dopaje de fósforo, las obleas cuentan con una concentración de oxígeno baja (hasta 8E17 AT/cm³), baja concentración de carbono (hasta 5E16 AT/CM³), densidad de pozos de grabado de hasta 500 cm⁻² y precisan la orientación de la superficie dentro de los 3 grados de los grados de los grados de los grados de los grados de los grados de<100>.
Las propiedades eléctricas clave incluyen un rango de resistividad de 1.0 a 7.0 Ω.cm y la vida útil de los portadores de alta minorías (mínimo 1000 μs).
Las obleas tienen una geometría pseudo-cuadrado optimizada con longitud lateral de 182 mm (tolerancia 0.25 mm), diámetro 247 mm (tolerancia 0.25 mm) y lados adyacentes a 90 grados (tolerancia 0.2 grados). Disponible en espesores de 150 a 180 μm (con tolerancias), aseguran una variación de grosor mínima (TTV máximo de 27 μm). La calidad de la superficie está estrictamente controlada ("como cortada y limpiada"), prohíbe la contaminación y las micro-cracks, con límites en las marcas de sierra (máximo de 15 μm), el arco y la deformación (máximo 40 μm cada una). Este gran formato respalda el cambio de la industria hacia la captura de luz optimizada.
1. Propiedades del material
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Propiedad |
Especificación |
Método de inspección |
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Método de crecimiento |
Cz |
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Cristalinidad |
Monocristalino |
Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88) |
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Tipo de conductividad |
De tipo n |
NAPSON EC-80TPN |
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Dopante |
Fósforo |
- |
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Concentración de oxígeno [OI] |
Menor o igual a8E +17 AT/CM3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
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Concentración de carbono [CS] |
Menor o igual a5e +16 AT/CM3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
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Densidad de boxes de grabado (densidad de dislocación) |
Menor o igual a500 cm-2 |
Técnicas de grabado preferencial(ASTM F47-88) |
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Orientación de la superficie |
<100>± 3 grados |
Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987) |
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Orientación de los lados pseudo cuadros |
<010>,<001>± 3 grados |
Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987) |
2. Propiedades eléctricas
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Propiedad |
Especificación |
Método de inspección |
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Resistividad |
1.0-7.0 Ω.cm
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Sistema de inspección de obleas |
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MCLT (vida útil del transportista minoritario) |
Mayor o igual a 1000 µ |
Sinton BCT-400
Transitorio
(con nivel de inyección: 5e14 cm-3)
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3. Geometría
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Propiedad |
Especificación |
Método de inspección |
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Geometría |
pseudo cuadrado |
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Forma de borde de bisel
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redondo | |
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Longitud del lado de la oblea |
182 ± 0.25 mm
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sistema de inspección de obleas |
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Diámetro de la oblea |
φ247 ± 0.25 mm |
sistema de inspección de obleas |
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Ángulo entre lados adyacentes |
90 grados ± 0.2 grados |
sistema de inspección de obleas |
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Espesor |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
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sistema de inspección de obleas |
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TTV (variación total de espesor) |
Menor o igual a 27 µm |
sistema de inspección de obleas |
4.Propiedades superficiales
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Propiedad |
Especificación |
Método de inspección |
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Método de corte |
DW |
-- |
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Calidad de la superficie |
Como se corta y limpia, no se permiten contaminación visible (aceite o grasa, huellas digitales, manchas de jabón, manchas de suspensión, manchas de epoxi/pegamento) |
sistema de inspección de obleas |
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Vio marcas / pasos |
Menos de o igual a 15 µm |
sistema de inspección de obleas |
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Arco |
Menos de o igual a 40 µm |
sistema de inspección de obleas |
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Urdimbre |
Menos de o igual a 40 µm |
sistema de inspección de obleas |
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Chip |
profundidad menor o igual a 0.3 mm y longitud menor o igual a 0.5 mm Máx 2/pcs; Sin chip en V |
Ojos desnudos o sistema de inspección de obleas |
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Micro grietas / agujeros |
No permitido |
sistema de inspección de obleas |
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