P Tipo M12 Oblea Solar Monocristalina

P Tipo M12 Oblea Solar Monocristalina

En 2019, se lauched las obleas mono p-Type M12 (210mm x 210mm) (lingote de silicio de 295mm de diámetro). Se esperaba que el formato M2 de 6" (156,75 mm x 156,75 mm) fuera colocado por M12 y M6.
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Descripción
Parámetros técnicos


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


En 2019, se lauched las obleas mono p-Type M12 (210mm x 210mm) (lingote de silicio de 295mm de diámetro). Se espera que el formato M2 de 6" (156.75mm x 156.75mm) sea colocado por M12 y M6.


1      Propiedades del material

 

propiedad

especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

Cz


cristalinidad

Monocristalino

 

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Tipo de conductividad

Tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopante

 

Boro, Galio

 

-

Concentración de oxígeno[Oi]

≦8E+17 a/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono[Cs]

5E+16 a/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad del pozo del grabado (densidad de la dislocación)

500 centímetros-3

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Orientación de la superficie

<100>±3°

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de los lados pseudo cuadrados

<010>,<001>±3°

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

 

2      Propiedades eléctricas

 

propiedad

especificación

Método de inspección

resistividad

0,5-1,5 Ωcm

Sistema de inspección de oblea

MCLT (vida del portador de la minoría)

50 μs

Sinton BCT-400

(con nivel de inyección: 1E15 cm-3)

 

3      geometría

 

propiedad

especificación

Método de inspección

geometría

Cuadrado completo


Longitud lateral de la oblea

210±0,25 mm

sistema de inspección de obleas

Diámetro de la oblea

φ295±0,25 mm

sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90° ± 0.2°

sistema de inspección de obleas

espesor

18020/10 μm;

17020/10 μm

sistema de inspección de obleas

TTV (Variación del espesor total)

27 μm

sistema de inspección de obleas


 210mmx210mm M12 monocrystalline silicon solar wafer

 

 

4      Propiedades de la superficie

 

propiedad

especificación

Método de inspección

Método de corte

Dw

--

Calidad de la superficie

como cortado y limpiado, sin contaminación visible, (no se permiten huellas dactilares, huellas dactilares, manchas de jabón, manchas de lodo, manchas de epoxi / pegamento)

sistema de inspección de obleas

Marcas de sierra / pasos

≤ 15μm

sistema de inspección de obleas

arco

≤ 40 μm

sistema de inspección de obleas

urdimbre

≤ 40 μm

sistema de inspección de obleas

chip

profundidad ≤0,3 mm y longitud ≤ 0,5 mm Máximo 2/pcs;   sin V-chip

Ojos desnudos o sistema de inspección de obleas

Micro grietas / agujeros

No permitido

sistema de inspección de obleas




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