Superficie de silicio negro tipo P oblea solar policristalina que incluye 166 mm * 166 mm

Superficie de silicio negro tipo P oblea solar policristalina que incluye 166 mm * 166 mm

El grabado químico asistido por metal (MACE) es un método de grabado en húmedo anisotrópico desarrollado recientemente que es capaz de producir nanoestructuras semiconductoras de alta relación de aspecto a partir de una película metálica estampada.
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Descripción
Parámetros técnicos

P type black silicon wafer 7


P type black silicon wafer in cascade 3


El grabado químico asistido por metal (MACE) es un método de grabado en húmedo anisotrópico desarrollado recientemente que es capaz de producir nanoestructuras semiconductoras de alta relación de aspecto a partir de una película metálica estampada.

En un modelo bien aceptado que describe el proceso MACE, eloxidantese prefiere que se reduzca en la superficie decatalizador de metal, y los huecos (h +) se inyectan del catalizador metálico al Si o los electrones (e-) se transfieren del Si al catalizador metálico. Si debajo del catalizador metálico tiene el máximoconcentración de agujeros, Por lo tanto, losoxidacióny la disolución de Si se produce preferentemente debajo del catalizador metálico.

Se encuentra que la eficiencia de conversión de energía solar aumenta cuando los SiNW conrelación de aspecto altase emplean en la superficie de la irradiación de luz slar.

1 Condición de la superficie

Parámetro

Proceso

Reflectancia

Lado delantero

Condición de la superficie

Metal Grabado químico asistido

Bajo

Lado trasero

Condición de la superficie

Pulido o texturizado

Alto o bajo

2 Propiedades materiales

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

solidificación direccional

XRD

Cristalinidad

policristalino

Técnicas de grabado preferenciales(ASTM F47-88)

Tipo de conductividad

Tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopante

Boro

-

Concentración de oxígeno [Oi]

≦1E+17 a / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [Cs]

≦1E+18 a / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

3 Propiedades electricas

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

0.5-2 Ωcm (después del recocido)

Sistema de inspección de obleas

MCLT (portador minoritario de por vida)

≧2 μs

Sinton QSSPC

4 Geometría

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

Cuadrado o Rectángulo

Sistema de inspección de obleas

Forma del borde biselado

Línea

Sistema de inspección de obleas

Tamaño de la oblea

(Largo de lado * largo de lado)

156 mm * 156 mm

157 mm * 186 mm

166 mm * 166 mm

Sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90±3°

Sistema de inspección de obleas


Etiqueta: Superficie de silicio negro tipo p oblea solar policristalina que incluye 166 mm * 166 mm, China, proveedores, fabricantes, fábrica, fabricado en China

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