【Descripción del Producto】
La tecnología de heterounión de silicio (HJT) se basa en un emisor y un campo de superficie posterior (BSF) que se producen mediante el crecimiento a baja temperatura de capas ultrafinas de silicio amorfo (a-Si:H) en ambos lados de obleas de silicio monocristalino muy bien limpias. , de menos de 160 μm de espesor, donde se fotogeneran electrones y huecos.
Las células solares de silicio con tecnología de heterounión (HJT) han atraído mucha atención porque pueden lograr altas eficiencias de conversión, hasta un 25 por ciento, mientras usan procesamiento a baja temperatura, generalmente por debajo de 250 grados para el proceso completo. La baja temperatura de procesamiento permite el manejo de obleas de silicio de menos de 100 μm de espesor mientras mantiene un alto rendimiento.

【Flujo del proceso】

【Características clave】
Alto Eff y alto Voc
Coeficiente de baja temperatura 5-8 porcentaje de ganancia de potencia de salida
Estructuras bifaciales
【Datos técnicos】
DATOS TÉCNICOS Y DISEÑO | COEFICIENTES DE TEMPERATURA Y SOLDERABILIDAD | |||
Dimensión | 210mm*210mm±0.25 | TkUoc (porcentaje /K) | -0.27 | |
Espesor | 150 más 20 μm/-10 μm | TkIsc ( por ciento /K) | más 0.055 | |
Frente | Barras colectoras de 12*0,06 mm (plateadas), 54 dedos (plateadas) | TkPMAX ( por ciento /K) | -0.26 | |
atrás | Barras colectoras de 12*0,06 mm (plateadas),74 dedos (plata) | Mínimo de resistencia al pelado | >1 N/mm | |
PARÁMETROS ELÉCTRICOS en STC | |||||||
No. | Eficiencia (porcentaje) | Pmpp (W) | Uoc (V) | isc (A) | Umpp (V) | Imp. (A) | FF (porcentaje) |
1 | 24.4 | 10.76 | 0.653 | 16.482 | 0.749 | 17.142 | 83.83 |
2 | 24.3 | 10.72 | 0.652 | 16.436 | 0.748 | 17.116 | 83.70 |
3 | 24.2 | 10.68 | 0.651 | 16.392 | 0.748 | 17.092 | 83.50 |
4 | 24.1 | 10.62 | 0.650 | 16.350 | 0.747 | 17.054 | 83.38 |
5 | 24.0 | 10.58 | 0.649 | 16.306 | 0.747 | 17.048 | 83.11 |
6 | 23.9 | 10.54 | 0.647 | 16.300 | 0.747 | 17.030 | 82.90 |
7 | 23.8 | 10.50 | 0.646 | 16.258 | 0.746 | 17.000 | 82.75 |
8 | 23.7 | 10.46 | 0.644 | 16.220 | 0.746 | 16.974 | 82.59 |
9 | 23.6 | 10.40 | 0.643 | 16.184 | 0.745 | 16.964 | 82.34 |
10 | 23.5 | 10.36 | 0.642 | 16.152 | 0.745 | 16.956 | 82.02 |
11 | 23.4 | 10.32 | 0.640 | 16.120 | 0.745 | 16.948 | 81.76 |
12 | 23.3 | 10.28 | 0.638 | 16.094 | 0.744 | 16.946 | 81.46 |
13 | 23.2 | 10.24 | 0.636 | 16.092 | 0.744 | 16.938 | 81.20 |
14 | 23.1 | 10.18 | 0.634 | 16.062 | 0.743 | 16.922 | 80.97 |
15 | 23.0 | 10.14 | 0.633 | 16.022 | 0.743 | 16.916 | 80.69 |
16 | 22.9 | 10.10 | 0.631 | 16.004 | 0.743 | 16.916 | 80.39 |
17 | 22.8 | 10.06 | 0.630 | 15.958 | 0.742 | 16.910 | 80.11 |
18 | 22.7 | 10.00 | 0.629 | 15.914 | 0.742 | 16.904 | 79.86 |
19 | 22.6 | 9.96 | 0.628 | 15.860 | 0.741 | 16.900 | 79.58 |
【Respuesta espectral】

【Dependencia de intensidad】

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