【Descripción del Producto】

La tecnología de heterounión de silicio (HJT) se basa en un emisor y un campo de superficie posterior (BSF) que se producen mediante el crecimiento a baja temperatura de capas ultrafinas de silicio amorfo (a-Si:H) en ambos lados de obleas de silicio monocristalino muy bien limpias. , de menos de 160 μm de espesor, donde se fotogeneran electrones y huecos.

HJT solar cell structure 400 Profile2

【Flujo del proceso】

Process flow A black

【Características clave】

Alto Eff y alto Voc

Coeficiente de baja temperatura 5-8 porcentaje de ganancia de potencia de salida

Estructuras bifaciales

【Características clave】

Alta eficiencia y alto Voc

Coeficiente de baja temperatura 5-8 porcentaje de ganancia de potencia de salida

Estructuras bifaciales

【Datos técnicos】

DATOS TÉCNICOS Y DISEÑO		COEFICIENTES DE TEMPERATURA Y SOLDERABILIDAD
Dimensión	166mm*166mm±0.25	TkUoc (porcentaje /K)	-0.192
Espesor	150 más 20 μm/-10 μm	TkIsc (porcentaje /K)	más 0.035
Frente	9×0.1mm Electrodo frontal tipo punto de soldadura	TkPMAX ( por ciento /K)	-0.236
atrás	9×0.1mm Electrodo trasero tipo punto de soldadura	Mínimo de resistencia al pelado	>1,4 N/mm

PARÁMETROS ELÉCTRICOS en STC
No.	Eficiencia (porcentaje)	Pmpp (W)	Uoc (V)	isc (A)	Umpp (V)	Imp. (A)	FF (porcentaje)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54