【Introducción del producto】
PROPIEDADES MATERIALES
Parámetro | Característica | Método de control ASTM |
Tipo / Dopante | P, boro N, fósforo N, antimonio N, arsénico | F42 |
Orientaciones | <100>, <111> corte las orientaciones según las especificaciones del cliente111>100> | F26 |
Contenido de oxígeno | 10 19 ppmA Tolerancias personalizadas por especificación del cliente | F121 |
Contenido de carbon | <0.6>0.6> | F123 |
Rangos de resistividad: P, Boron, N, Fósforo, N, Antimonio, Arsénico | 0.001 - 50 ohm · cm | F84 |
PROPIEDADES MECÁNICAS
Parámetro | principal | Monitor / Prueba A | Prueba | Método ASTM |
Diámetro | 150 ± 0.2 mm | 150 ± 0.2 mm | 150 ± 0.5 mm | F613 |
Espesor | 675 ± 20 µm (estándar) | 675 ± 25 µm (estándar) 450 ± 25 µm 625 ± 25 µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500 ± 25 µm | 675 ± 50 µm (estándar) | F533 |
TTV | <5>5> | <10>10> | <15>15> | F657 |
Arco | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
Envolver | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
Redondeo de bordes | SEMI-ETS | F928 | ||
Calificación | Primario solo SEMI-Flat, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch | F26, F671 | ||
CALIDAD DE LA SUPERFICIE
Parámetro | principal | Monitor / Prueba A | Prueba | Método ASTM |
Criterios Delanteros | ||||
Condición de la superficie | Químico Mecánico Pulido | Químico Mecánico Pulido | Químico Mecánico Pulido | F523 |
Rugosidad de la superficie | <2 a="">2> | <2 a="">2> | <2 a="">2> | |
Contaminación, Partículas @> 0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Neblina, Hoyos, Cáscara De Naranja | Ninguna | Ninguna | Ninguna | F523 |
Marcas de sierra, estriaciones. | Ninguna | Ninguna | Ninguna | F523 |
Criterios del Lado Trasero | ||||
Grietas, pieles, marcas de sierra, manchas. | Ninguna | Ninguna | Ninguna | F523 |
Condición de la superficie | Grabado cáustico | F523 | ||
【 Descripción del producto 】
Perfecto para aplicaciones de microfluidos. Para aplicaciones de microelectrónica o MEMS, contáctenos para obtener especificaciones detalladas.
Los dispositivos semiconductores continúan encogiéndose, es cada vez más importante que las obleas tengan una alta calidad de superficie tanto en su parte frontal como posterior. Actualmente, estas obleas son más comunes en los sistemas microelectromecánicos (MEMS), la unión de obleas, la fabricación de silicona en el aislante (SOI) y las aplicaciones con requisitos de planitud ajustados. Microelectronics reconoce la evolución de la industria de los semiconductores y se compromete a encontrar soluciones a largo plazo para todos los requisitos de los clientes.
Amplio stock de obleas de doble cara pulidas en todos los diámetros de obleas que van desde 100 mm a 300 mm. Si su especificación no está disponible en nuestro inventario, hemos establecido relaciones a largo plazo con numerosos proveedores que son capaces de fabricar obleas personalizadas para adaptarse a cualquier especificación única. Las obleas pulidas a doble cara están disponibles en silicona, vidrio y otros materiales comúnmente utilizados en la industria de los semiconductores.
Los dados y pulidos personalizados también están disponibles de acuerdo con sus requisitos. Siéntete libre de contactarnos.
Features características del producto 】
· Tipo P / N de 6 ", oblea de silicio pulida (25 piezas)
· Orientación: 150
· Resistividad: 0,1 - 40 ohm · cm (puede variar de un lote a otro)
· Espesor: 675 +/- 20um
· Prime / Monitor / Test Grade
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